如今半導體的制程工藝已經進步到了7nm，再往后提升會越來越難。想要提升芯片性能還可以從晶圓封裝上下文章。

　　此前臺積電曾推出過CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)封裝技術，將邏輯芯片和DRAM 放在硅中介層(interposer)上，然后封裝在基板上。這是一種2.5D/3D封裝工藝，可以讓芯片尺寸更小，同時擁有更高的I/O帶寬。不過由于成本較普通封裝高了數倍，目前采用的客戶并不多。

　　3月3日，臺積電宣布將與博通公司聯手推出增強型的CoWoS解決方案，支持業界首創的兩倍光罩尺寸(2Xreticlesize)之中介層，面積約1,700平方毫米。

　　新的增強型CoWoS平臺能夠容納將多個邏輯系統單晶片(SoC)，最高提供96GB的HBM內存（6片），帶寬高達2.7TB/s。相較于前代CoWoS提升了2.7倍。如果是和PC內存相比，提升幅度在50~100倍之間。

　　臺積電表示此項新世代CoWoS平臺能夠大幅提升運算能力，藉由更多的系統單芯片來支援先進的高效能運算系統，并且已準備就緒支援臺積電下一代的5納米制程技術。

　　博通Engineering for the ASIC Products Division副總裁GregDix表示，很高興能夠與臺積電合作共同精進CoWoS平臺，解決許多在7nm及更先進制程上的設計挑戰。

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